DTCO pour RF millimétrique : Mise en application de la technologie de collage hybride hétérogène
Au cours des dernières années, de nombreuses avancées technologiques dans les semiconducteurs à base de silicium ont été réalisées. Cependant, les limites en termes de performances fréquentielles et de puissance semblent avoir été atteintes, nécessitant l'utilisation de nouveaux composants III-V (tels que l'InP et le GaN) qui sont plus rapides, plus puissants et bien adaptés aux nouvelles applications RF mmW.
Pour des raisons de flexibilité, de performance et de coût, il est crucial de co-intégrer ces nouveaux composants hautes performances avec les technologies de silicium plus traditionnelles. L'objectif principal de ce travail est de concevoir un amplificateur de puissance mmW en utilisant les avantages de l'intégration hétérogène : des dispositifs actifs III-V rapides et puissants combinés avec des dispositifs passifs efficaces et une densité d'intégration importante de fonctions qu'offrent les procédés CMOS avancés actuels.
Ce travail postdoctoral sera supporté par deux laboratoires distincts : l'un en charge du développement de procédés 3D, en particulier le procédé de collage hybride directe, et un second dédié à la conception de circuits intégrées RF millimétriques.
Sur la base de travaux précédents récents, des démonstrateurs et des véhicules de test 3D-RF, vous pourrez approfondir votre compréhension de la technologie de collage hybride directe : ses limitations et avantages techniques pour les applications RF millimétriques.
Vous contribuerez également à la réalisation de tâches spécifiques et de livrables pour les clients du CEA-Leti de renommée mondiale.
Ces différentes tâches vous permettront de concevoir des circuits et démonstrateurs RF millimétriques efficaces et pertinents, notamment des circuits analogiques Front End millimétriques pour les communications (PA, LNA).
Vous devrez également contribuer à développer et optimiser la méthodologie 'Design to Technology Co-Opimization' (DTCO) dans les laboratoires de conception RF millimétrique et de procédés 3D du CEA-Leti.
Les outils et l'environnement de travail à disposition sont à l'état de l'art mondial : plateforme technologique de nanoélectronique, environnement de conception et de simulation microélectronique radio-fréquence millimétrique, et équipement de mesure électrique radio-fréquence millimétrique sous pointe.
Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :
Vous possédez un doctorat en micro-nanotechnologie avec une expertise dans la conception et la caractérisation RF millimétriques ainsi qu'une solide connaissance des dispositifs et processus micro-nanoélectroniques.
Vous devez faire preuve d'une grande autonomie dans la conception RF, la simulation et les mesures électriques.
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
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