Dispositifs à commutation tout optique avec oxyde conducteur transparent compatibles CMOS / / T[...]

L'objectif du projet de thèse de doctorat est de réaliser des avancées critiques dans la technologie du retournement d’aimantation tout optique, pour réaliser des dispositifs mémoire AOS MRAM.

Le projet se focalise sur la recherche de filières de nanofabrication disruptives et des empillements de matériaux magnétiques innovants. Il permettra d'établir une plate-forme pour l'intégration d’une mémoire spintronique et des éléments photoniques, pour une future mémoire ultrarapide et économe en énergie. L'accent sera mis sur la conception, la fabrication, la caractérisation et l'intégration des jonctions tunnel magnétiques (MTJ) avec des circuits électriques CMOS et photonique.

Bien que les principaux éléments technologiques aient été prouvés, il reste à atteindre un niveau de maturité plus élevé en ce qui concerne la commutation AOS. Les contraintes induites par la nanofabrication d'éléments de petite taille doivent être abordées dans le cadre d'une recherche combinant des questions fondamentales sur la spintronique et la science des matériaux. Il s'agit notamment d'éléments technologiques permettant d'établir les bases de connaissances nécessaires à la mise au point d'éléments de mémoire innovants et améliorés.

On recherchera une validation expérimentale et des développements de processus pour améliorer le rendement et les performances. Ces travaux seront menés au niveau des couches minces et des dispositifs à motifs, afin d'étudier l'impact du processus de mise en forme des empilements de cellules optimisés. Réalisation de simulations magnétiques avec différentes approches (macrospin, micromagnétique, atomistique) afin d'expliquer pleinement les résultats expérimentaux, de proposer des modifications et des perfectionnements des cellules mémoire. La caractérisation de la variabilité induite par la fabrication est un des résultats critiques attendus. L'automatisation des tests électriques et l'analyse des données seront mises en œuvre pour développer une boucle d'amélioration continue se basant sur des simulations et des itérations de développements matériaux.

Informations sur le poste

Pôle fr : Direction de la Recherche Fondamentale

Département : Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble

Laboratoire : Laboratoire Spintec

Date de début souhaitée : 01-12-

Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)

Directeur de thèse : SOUSA Ricardo

Laboratoire : DRF / IRIG / / SPINTEC