Composants de puissance verticaux en GaN réalisés par épitaxie localisée

Description du sujet de thèse

Domaine
Défis technologiques

Sujets de thèse
Composants de puissance verticaux en GaN réalisés par épitaxie localisée

Contrat
Thèse

Description de l'offre
Cette thèse offre une opportunité unique de perfectionner vos compétences dans les dispositifs de puissance en GaN et de développer des architectures de pointe. Vous travaillerez aux côtés d'une équipe multidisciplinaire spécialisée en ingénierie des matériaux, caractérisation, simulation de dispositifs et mesures électriques. Si vous êtes enthousiaste à l'idée d'innover, d'approfondir vos connaissances et de relever des défis à la pointe de la technologie, ce poste constitue un atout précieux pour votre carrière !

Les composants de puissance verticaux en GaN présentent un fort potentiel pour des applications de puissance au-delà de la gamme du kV. L'épitaxie localisée de GaN permet la création de structures épaisses sur des substrats en silicium à un coût compétitif, avec un succès démontré sur des diodes et des transistors pseudo-verticaux. Cependant, la surface significative de cette approche limite la densité énergétique des dispositifs. Cette thèse vise à développer des composants entièrement verticaux, plus denses, en utilisant des méthodes de transfert de couches. Vous étudierez les caractéristiques électriques de ces composants pour observer l'impact des variations technologiques sur leurs performances.

Au cours de ce doctorat, vous acquerrez des connaissances approfondies sur les procédés de microélectronique, la caractérisation électrique et la simulation TCAD (Conception Assistée par Ordinateur). Vous collaborerez avec une équipe multidisciplinaire, incluant notre partenaire CNRS-LTM, et approfondirez votre compréhension des dispositifs de puissance en GaN, tout en faisant partie d'un laboratoire dédié au développement de dispositifs de puissance à large bande interdite. Vous aurez également l'opportunité de rédiger des publications et des brevets.

Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble

Critères candidat
Formation recommandée
Master 2 ou ingénieur en microélectronique

Demandeur
Disponibilité du poste
01/09/2025

Personne à contacter par le candidat
BUCKLEY Julien julien.buckley@cea.fr
CEA
DRT/DCOS//LAPS
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
MINATEC Campus
17 rue des martyrs
F-38054 Grenoble Cedex
FRANCE
(+33) 04 38 78 42 81

Tuteur / Responsable de thèse
SALEM Bassem bassem.salem@cea.fr
CNRS
LTM Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM) - UMR 5129 CNRS / CEA / UGA
17 Av. des Martyrs, 38054 Grenoble
04.38.78.24.55

En savoir plus
https://fr.linkedin.com/in/julien-buckley-6a15784