Description de l'offre :
Notre unité a pour ambition de faire du Leti le premier institut de recherche technologique développant des architectures de puissance en SiC sur une ligne 200mm. Dans cette optique, le laboratoire souhaite renforcer son équipe SiC avec un nouvel ingénieur simulation.
Au sein du laboratoire LAPS d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en lien avec les laboratoires de test et de simulations, vous êtes en charge de modéliser et simuler de nouvelles architectures de puissance à base de carbure de silicium (SiC). Plus particulièrement, vous contribuez au design des masques, au dimensionnement et à la modélisation multiphysique de transistors MOSFET à base de carbure de silicium.
Vos principales activités sont les suivantes :
Qu’attendons-nous de vous ?
Formation supérieure Ingénieur et/ou Master 2 en physique et microélectronique, avec des compétences en simulations TCAD (idéalement outils de la suite Synopsys), et une première expérience dans les semiconducteurs « grand gap ».
Capacité à travailler en équipe autour d'un projet pluridisciplinaire, rigueur technique et méthodologique, bonnes capacités de communication.
Anglais indispensable.
Nous avons hâte de vous accueillir dans notre équipe !
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Formation recommandée : diplôme Ingénieur, Master 2; doctorat
Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat. Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale.
Le laboratoire LAPS est spécialisé dans le développement de composants de puissance en matériau semi-conducteur à large bande interdite, parmi lesquels le nitrure de gallium GaN et le carbure de silicium SiC. Ces composants ont des applications en électronique de puissance car ils peuvent être utilisés à plus haute température et à plus forte puissance que les composants à base de silicium. Ces dispositifs sont critiques pour répondre aux énormes besoins d'électrification de la société, en vue de réduire notre empreinte carbone.