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CDD chercheur en Microélectronique H/F: Développement des oxydes alternatifs et des procédés technologiques pour l’électronique de puissance

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :

Date Limite Candidature : jeudi 17 avril 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : CDD chercheur en Microélectronique H/F: Développement des oxydes alternatifs et des procédés technologiques pour l’électronique de puissance
Référence : UMR5129-MARCLO-095
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : jeudi 27 mars 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 juin 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 2991.58€ et 3417.33€ bruts mensuels
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Une des problématiques majeures de transistors HEMT GaN est la forte densité des défauts d'interface entre l'oxyde de grille (high-k) et le canal. En plus, la qualité des contacts Schottky au niveau de la grille représente un enjeu majeur, car au-delà d'affecter les performances, leur dégradation impacte le fonctionnement même du transistor. Dans ce contexte, la personne recrutée s'attachera à l'élaboration et la caractérisation des différents diélectriques, dont l'AlN, sur le matériau GaN. Dans un deuxième temps, la personne recrutée participera à la fabrication et à la caractérisation électrique de structures de test de type capacité MOS (MOSCAP) à la PTA.

Activités

1. Dépôt d'oxyde high-k sur substrat GaN dont l'AlN et analyse physico-chimique de la qualité de l'interface high-k/GaN par X-ray Photoelectrons Spectrocopy (XPS), TEM, Raman et ellipsométrie
2. Fabrication des transistors verticaux
3. Fabrication de structures de test de type capacité MOS (MOSCAP)
4. Analyse des résultats

Compétences

1. Connaissances théoriques :
   - Physique de composants
   - Anglais écrit et parlé
2. Savoir-faire opérationnels :
   - Travail salle blanche : maitrise des règles de sécurité
   - Micro- et nano-fabrication
   - Caractérisation physico-chimique
3. Savoir-être :
   - Qualités relationnelles (travail en équipe)
   - Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec la nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche et compte environ 90 personnes. Le laboratoire est situé sur le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe.

Contraintes et risques

Aucun